Bidang Persimpangan-Identifikasi Pin Transistor Efek (JFET).
Gerbang JFET setara dengan basis transistor, sedangkan sumber dan saluran masing-masing berhubungan dengan emitor dan kolektor. Atur multimeter ke kisaran R×1k dan ukur hambatan maju dan mundur antara setiap pasang pin. Ketika resistansi maju dan mundur antara dua pin sama, keduanya beberapa kΩ, kedua pin ini adalah saluran pembuangan (D) dan sumber (S) (dapat dipertukarkan). Pin yang tersisa adalah gate (G). Untuk JFET dengan empat pin, pin yang tersisa adalah pelindung (dibumikan saat digunakan).
Penentuan Gerbang
Sentuh salah satu elektroda transistor dengan probe hitam pada multimeter, dan sentuh dua elektroda lainnya dengan probe merah. Jika kedua resistansi yang diukur sangat tinggi, ini menunjukkan resistansi terbalik, artinya transistor adalah JFET saluran N-, dan probe hitam terhubung ke gerbang. Proses manufaktur menentukan bahwa sumber dan saluran JFET simetris dan dapat dipertukarkan tanpa mempengaruhi operasi sirkuit; oleh karena itu, diferensiasi tidak diperlukan. Hambatan antara sumber dan saluran kira-kira beberapa ribu ohm.
Perhatikan bahwa metode ini tidak dapat digunakan untuk menentukan gerbang transistor efek-gerbang bidang-terisolasi (IGFET). Hal ini karena resistansi masukan transistor tersebut sangat tinggi, dan kapasitansi sumber-gerbang sangat kecil. Selama pengukuran, bahkan sejumlah kecil muatan dapat menghasilkan tegangan yang sangat tinggi pada kapasitansi sumber-gerbang, sehingga mudah merusak transistor.
Memperkirakan Kemampuan Amplifikasi
Atur multimeter ke kisaran R×100. Hubungkan probe merah ke sumber (S) dan probe hitam ke saluran pembuangan (D), secara efektif menerapkan tegangan catu daya 1.5Vtage ke IGFET. Jarum meter kemudian akan menunjukkan nilai resistansi D-S. Selanjutnya, cubit gerbang (G) dengan jari Anda, berikan tegangan induksi dari tubuh Anda sebagai sinyal masukan ke gerbang. Karena efek amplifikasi transistor, UDS dan ID akan berubah, yang setara dengan perubahan resistansi D-S. Ayunan yang signifikan pada jarum meter dapat diamati. Jika jarum berayun sangat sedikit ketika gerbang terjepit, kemampuan amplifikasi transistor lemah; jika jarum tidak bergerak maka transistor rusak. Karena tegangan AC 50Hz yang diinduksi oleh tubuh manusia relatif tinggi, dan titik pengoperasian MOSFET yang berbeda mungkin berbeda bila diukur dengan rentang resistansi, jarum meteran dapat berayun ke kanan atau ke kiri ketika gerbangnya ditekan dengan tangan. Beberapa MOSFET akan mengalami penurunan RDS, menyebabkan jarum berayun ke kanan; kebanyakan MOSFET akan mengalami peningkatan RDS, menyebabkan jarum berayun ke kiri. Terlepas dari arah ayunan jarum, selama ada ayunan yang terlihat, hal ini menunjukkan bahwa MOSFET memiliki kemampuan amplifikasi.
Metode ini juga berlaku untuk pengukuran MOSFET. Untuk melindungi MOSFET, pegangan obeng berinsulasi harus dipegang dengan tangan, dan gerbang harus disentuh dengan batang logam untuk mencegah muatan induksi langsung diterapkan ke gerbang dan merusak MOSFET.
Setelah setiap pengukuran MOSFET, sejumlah kecil muatan akan terakumulasi pada kapasitansi sambungan G-S, sehingga menghasilkan tegangan UGS. Saat mengukur kembali, jarum meteran mungkin tidak bergerak. Dalam hal ini, hubungan arus pendek-terminal G-S akan mengatasi masalah tersebut.
