Transistor sambungan bipolar (BJT) adalah perangkat semikonduktor tiga-terminal yang terdiri dari dua sambungan PN yang dibentuk oleh daerah emitor, basis, dan kolektor. Berdasarkan susunan PN simpangnya diklasifikasikan menjadi tipe NPN dan PNP. Diciptakan pada tanggal 23 Desember 1947 oleh Drs. Bardeen, Brighton, dan Shockley di Bell Labs, prinsip intinya adalah mencapai amplifikasi dengan mengendalikan perubahan arus kolektor yang lebih besar melalui perubahan kecil pada arus basis. Konsentrasi doping internal sangat bervariasi: daerah emitor memiliki doping yang tinggi, daerah basis adalah yang paling tipis dan paling sedikit dopingnya, dan daerah kolektor adalah yang terbesar dan dopingnya sedang.
BJT beroperasi dalam tiga mode: cutoff, amplifikasi, dan saturasi. Parameter utama mencakup faktor amplifikasi arus (hFE), frekuensi karakteristik fT, dan tegangan tembus kolektor-emitor BUCEO. BJT modern sebagian besar terbuat dari silikon, dan arus kolektor diubah dengan mengontrol tegangan basis-emitor untuk mengubah difusi pembawa di persimpangan emitor. Sebagai komponen dasar rangkaian elektronik, transistor memiliki penguatan sinyal dan fungsi peralihan elektronik. Mereka dapat digunakan untuk membuat amplifier untuk menggerakkan speaker dan motor, atau sebagai elemen switching dalam sirkuit digital dan kontrol logika. Aplikasi umum mencakup amplifikasi daya-frekuensi rendah/frekuensi tinggi-dan desain transistor komposit.
